آلفروف، ژورس (۱۹۳۰-۲۰۱۹م) - تاریخچهٔ نسخه‌ها

Mohammadi3 در ‏۸ اکتبر ۲۰۲۵، ساعت ۰۷:۲۵

2025-10-08T07:25:17Z

→ نسخهٔ قدیمی‌تر		نسخهٔ ‏۸ اکتبر ۲۰۲۵، ساعت ۰۷:۲۵
خط ۲۷:		خط ۲۷:
	\|باشگاه =		\|باشگاه =
	}}[[پرونده:10192800.jpg\|بندانگشتی\|ژورس آلفروف]]		}}[[پرونده:10192800.jpg\|بندانگشتی\|ژورس آلفروف]]
	آلفِروف، ژورِس (۱۹۳۰-۲۰۱۹م)(Alferov, Zhores) <p style="text-align: justify;">فیزیک‌دان روس. با فیزیک‌دان آلمانی، [[کرومر، هربرت ~~(۱۹۲۸)~~\|هربرت کرومر]]<ref>Herbert Kroemer</ref>، و مهندس برق امریکایی، جک کیلبی<ref>Jack S. Kilby</ref>، به‌خاطر تحقیق دربارۀ فناوری اطلاعات و ارتباطات، در سال ۲۰۰۰م [[نوبل، جایزه\|جایزۀ نوبل]] فیزیک گرفت. آلفروف در توسعۀ ساختارهای ناهمگن<ref>heterostructures</ref> [[نیم رسانا\|نیم‌رسانا]]<ref>semiconductor</ref> پیش‌گام بود که در حوزۀ الکترونیکِ سرعت زیاد<ref>high-speed electronics</ref> و اُپتوالکترونیک<ref>optoelectronics</ref> به‌کار می‌روند. اُپتوالکترونیک شاخه‌ای از الکترونیک برای ساخت وسایلی است که هم نسبت به [[الکترون]] و هم نسبت به [[فوتون]] حساس‌اند. در ۱۹۶۳م، مستقلاً اصلی را مطرح کرد که ساختار دستگاه لیزری<ref>laser</ref> را شرح می‌داد و با استفاده از قطعات نیم‌رسانای ناهمگن ساخته می‌شد. نیم‌رساناهایی که ساختار ناهمگن دارند، مثل [[آرسنید گالیوم]]<ref>gallium arsenide</ref>، از لایه‌های نازکی تشکیل می‌شوند که یک در میان نیم‌رسانایند. در ۱۹۶۹م، اولین نیم‌رسانای ناهمگنی را ساخت که لایه‌های آن مجزا بود. به کمک این ساختار، لیزرهای نیم‌رسانای قابل ‌استفاده در دمای اتاق ساخته شد. لیزرهای نیم‌رسانا معمولاً در دستگاه‌های پخش لوح فشرده و بارکُدخوان<ref>barcode reader</ref>ها، و ارسال اطلاعات از طریق کابل تارِ نوری<ref>fibre optic cable</ref> به‌کار می‌روند. آلفروف در [[ویتسیبسک\|ویتسیِبسک]]<ref>Vitsyebsk</ref>، واقع در [[بلاروس]]، زاده شد. در ۱۹۵۳م، به مؤسسۀ فیزیک و مهندسی اِی اف آیوف<ref>A. F. Ioffe Physico-Technical Institute</ref> در [[سن پترزبورگ\|سن‌پترزبورگ]]<ref>St Petersburg</ref> [[روسیه]] پیوست و در ۱۹۸۷م، مدیریت آن‌جا را برعهده گرفت. در ۱۹۸۹م، نایب‌رئیس آکادمی علوم روسیه<ref>Russian Academy of Sciences</ref> شد.<br/>  </p>		آلفِروف، ژورِس (۱۹۳۰-۲۰۱۹م)(Alferov, Zhores) <p style="text-align: justify;">فیزیک‌دان روس. با فیزیک‌دان آلمانی، [[کرومر، هربرت\|هربرت کرومر]]<ref>Herbert Kroemer</ref>، و مهندس برق امریکایی، جک کیلبی<ref>Jack S. Kilby</ref>، به‌خاطر تحقیق دربارۀ فناوری اطلاعات و ارتباطات، در سال ۲۰۰۰م [[نوبل، جایزه\|جایزۀ نوبل]] فیزیک گرفت. آلفروف در توسعۀ ساختارهای ناهمگن<ref>heterostructures</ref> [[نیم رسانا\|نیم‌رسانا]]<ref>semiconductor</ref> پیش‌گام بود که در حوزۀ الکترونیکِ سرعت زیاد<ref>high-speed electronics</ref> و اُپتوالکترونیک<ref>optoelectronics</ref> به‌کار می‌روند. اُپتوالکترونیک شاخه‌ای از الکترونیک برای ساخت وسایلی است که هم نسبت به [[الکترون]] و هم نسبت به [[فوتون]] حساس‌اند. در ۱۹۶۳م، مستقلاً اصلی را مطرح کرد که ساختار دستگاه لیزری<ref>laser</ref> را شرح می‌داد و با استفاده از قطعات نیم‌رسانای ناهمگن ساخته می‌شد. نیم‌رساناهایی که ساختار ناهمگن دارند، مثل [[آرسنید گالیوم]]<ref>gallium arsenide</ref>، از لایه‌های نازکی تشکیل می‌شوند که یک در میان نیم‌رسانایند. در ۱۹۶۹م، اولین نیم‌رسانای ناهمگنی را ساخت که لایه‌های آن مجزا بود. به کمک این ساختار، لیزرهای نیم‌رسانای قابل ‌استفاده در دمای اتاق ساخته شد. لیزرهای نیم‌رسانا معمولاً در دستگاه‌های پخش لوح فشرده و بارکُدخوان<ref>barcode reader</ref>ها، و ارسال اطلاعات از طریق کابل تارِ نوری<ref>fibre optic cable</ref> به‌کار می‌روند. آلفروف در [[ویتسیبسک\|ویتسیِبسک]]<ref>Vitsyebsk</ref>، واقع در [[بلاروس]]، زاده شد. در ۱۹۵۳م، به مؤسسۀ فیزیک و مهندسی اِی اف آیوف<ref>A. F. Ioffe Physico-Technical Institute</ref> در [[سن پترزبورگ\|سن‌پترزبورگ]]<ref>St Petersburg</ref> [[روسیه]] پیوست و در ۱۹۸۷م، مدیریت آن‌جا را برعهده گرفت. در ۱۹۸۹م، نایب‌رئیس آکادمی علوم روسیه<ref>Russian Academy of Sciences</ref> شد.<br/>  </p>
	----		----

	[[Category:فیزیک و مکانیک]] [[Category:(فیزیک و مکانیک)اشخاص و آثار]]		[[Category:فیزیک و مکانیک]] [[Category:(فیزیک و مکانیک)اشخاص و آثار]]

Mohammadi3: Mohammadi3 صفحهٔ آلفروف، ژورس (۱۹۳۰) را بدون برجای‌گذاشتن تغییرمسیر به آلفروف، ژورس (۱۹۳۰-۲۰۱۹م) منتقل کرد

2024-10-09T07:16:26Z

Mohammadi3 صفحهٔ آلفروف، ژورس (۱۹۳۰) را بدون برجای‌گذاشتن تغییرمسیر به آلفروف، ژورس (۱۹۳۰-۲۰۱۹م) منتقل کرد

→ نسخهٔ قدیمی‌تر	نسخهٔ ‏۹ اکتبر ۲۰۲۴، ساعت ۰۷:۱۶
(بدون تفاوت)

Mohammadi3 در ‏۹ اکتبر ۲۰۲۴، ساعت ۰۷:۱۶

2024-10-09T07:16:01Z

→ نسخهٔ قدیمی‌تر		نسخهٔ ‏۹ اکتبر ۲۰۲۴، ساعت ۰۷:۱۶
خط ۱:		خط ۱:
	~~[[پرونده:10192800.jpg\|بندانگشتی\|ژورس آلفروف]]~~		{{جعبه زندگینامه
	~~<p style="text-align: justify;">آلفِروف، ژورِس (۱۹۳۰-2019م)(Alferov, Zhores)</p> <p style="text-align: justify;">~~{{جعبه زندگینامه
	\|عنوان =ژورس آلفروف		\|عنوان =ژورس آلفروف
	\|نام =Zhores Alferov		\|نام =Zhores Alferov
خط ۲۷:		خط ۲۶:
	\|پست تخصصی =		\|پست تخصصی =
	\|باشگاه =		\|باشگاه =
	}}فیزیک‌دان روس. با فیزیک‌دان آلمانی، [[کرومر، هربرت (۱۹۲۸)\|هربرت کرومر]]<ref>Herbert Kroemer</ref>، و مهندس برق امریکایی، جک کیلبی<ref>Jack S. Kilby</ref>، به‌خاطر تحقیق دربارۀ فناوری اطلاعات و ارتباطات، در سال ۲۰۰۰م [[نوبل، جایزه\|جایزۀ نوبل]] فیزیک گرفت. آلفروف در توسعۀ ساختارهای ناهمگن<ref>heterostructures</ref> [[نیم رسانا\|نیم‌رسانا]]<ref>semiconductor</ref> پیش‌گام بود که در حوزۀ الکترونیکِ سرعت زیاد<ref>high-speed electronics</ref> و اُپتوالکترونیک<ref>optoelectronics</ref> به‌کار می‌روند. اُپتوالکترونیک شاخه‌ای از الکترونیک برای ساخت وسایلی است که هم نسبت به [[الکترون]] و هم نسبت به [[فوتون]] حساس‌اند. در ۱۹۶۳م، مستقلاً اصلی را مطرح کرد که ساختار دستگاه لیزری<ref>laser</ref> را شرح می‌داد و با استفاده از قطعات نیم‌رسانای ناهمگن ساخته می‌شد. نیم‌رساناهایی که ساختار ناهمگن دارند، مثل [[آرسنید گالیوم]]<ref>gallium arsenide</ref>، از لایه‌های نازکی تشکیل می‌شوند که یک در میان نیم‌رسانایند. در ۱۹۶۹م، اولین نیم‌رسانای ناهمگنی را ساخت که لایه‌های آن مجزا بود. به کمک این ساختار، لیزرهای نیم‌رسانای قابل ‌استفاده در دمای اتاق ساخته شد. لیزرهای نیم‌رسانا معمولاً در دستگاه‌های پخش لوح فشرده و بارکُدخوان<ref>barcode reader</ref>ها، و ارسال اطلاعات از طریق کابل تارِ نوری<ref>fibre optic cable</ref> به‌کار می‌روند. آلفروف در [[ویتسیبسک\|ویتسیِبسک]]<ref>Vitsyebsk</ref>، واقع در [[بلاروس]]، زاده شد. در ۱۹۵۳م، به مؤسسۀ فیزیک و مهندسی اِی اف آیوف<ref>A. F. Ioffe Physico-Technical Institute</ref> در [[سن پترزبورگ\|سن‌پترزبورگ]]<ref>St Petersburg</ref> [[روسیه]] پیوست و در ۱۹۸۷م، مدیریت آن‌جا را برعهده گرفت. در ۱۹۸۹م، نایب‌رئیس آکادمی علوم روسیه<ref>Russian Academy of Sciences</ref>~~ ~~شد.<br/>  </p>		}}[[پرونده:10192800.jpg\|بندانگشتی\|ژورس آلفروف]]
			آلفِروف، ژورِس (۱۹۳۰-۲۰۱۹م)(Alferov, Zhores) <p style="text-align: justify;">فیزیک‌دان روس. با فیزیک‌دان آلمانی، [[کرومر، هربرت (۱۹۲۸)\|هربرت کرومر]]<ref>Herbert Kroemer</ref>، و مهندس برق امریکایی، جک کیلبی<ref>Jack S. Kilby</ref>، به‌خاطر تحقیق دربارۀ فناوری اطلاعات و ارتباطات، در سال ۲۰۰۰م [[نوبل، جایزه\|جایزۀ نوبل]] فیزیک گرفت. آلفروف در توسعۀ ساختارهای ناهمگن<ref>heterostructures</ref> [[نیم رسانا\|نیم‌رسانا]]<ref>semiconductor</ref> پیش‌گام بود که در حوزۀ الکترونیکِ سرعت زیاد<ref>high-speed electronics</ref> و اُپتوالکترونیک<ref>optoelectronics</ref> به‌کار می‌روند. اُپتوالکترونیک شاخه‌ای از الکترونیک برای ساخت وسایلی است که هم نسبت به [[الکترون]] و هم نسبت به [[فوتون]] حساس‌اند. در ۱۹۶۳م، مستقلاً اصلی را مطرح کرد که ساختار دستگاه لیزری<ref>laser</ref> را شرح می‌داد و با استفاده از قطعات نیم‌رسانای ناهمگن ساخته می‌شد. نیم‌رساناهایی که ساختار ناهمگن دارند، مثل [[آرسنید گالیوم]]<ref>gallium arsenide</ref>، از لایه‌های نازکی تشکیل می‌شوند که یک در میان نیم‌رسانایند. در ۱۹۶۹م، اولین نیم‌رسانای ناهمگنی را ساخت که لایه‌های آن مجزا بود. به کمک این ساختار، لیزرهای نیم‌رسانای قابل ‌استفاده در دمای اتاق ساخته شد. لیزرهای نیم‌رسانا معمولاً در دستگاه‌های پخش لوح فشرده و بارکُدخوان<ref>barcode reader</ref>ها، و ارسال اطلاعات از طریق کابل تارِ نوری<ref>fibre optic cable</ref> به‌کار می‌روند. آلفروف در [[ویتسیبسک\|ویتسیِبسک]]<ref>Vitsyebsk</ref>، واقع در [[بلاروس]]، زاده شد. در ۱۹۵۳م، به مؤسسۀ فیزیک و مهندسی اِی اف آیوف<ref>A. F. Ioffe Physico-Technical Institute</ref> در [[سن پترزبورگ\|سن‌پترزبورگ]]<ref>St Petersburg</ref> [[روسیه]] پیوست و در ۱۹۸۷م، مدیریت آن‌جا را برعهده گرفت. در ۱۹۸۹م، نایب‌رئیس آکادمی علوم روسیه<ref>Russian Academy of Sciences</ref> شد.<br/>  </p>
	----		----

	[[Category:فیزیک و مکانیک]] [[Category:(فیزیک و مکانیک)اشخاص و آثار]]		[[Category:فیزیک و مکانیک]] [[Category:(فیزیک و مکانیک)اشخاص و آثار]]

Mohammadi2 در ‏۳۰ ژانویهٔ ۲۰۲۴، ساعت ۱۹:۱۲

2024-01-30T19:12:23Z

→ نسخهٔ قدیمی‌تر		نسخهٔ ‏۳۰ ژانویهٔ ۲۰۲۴، ساعت ۱۹:۱۲
خط ۱:		خط ۱:
			[[پرونده:10192800.jpg\|بندانگشتی\|ژورس آلفروف]]
	<p style="text-align: justify;">آلفِروف، ژورِس (۱۹۳۰-2019م)(Alferov, Zhores)</p> <p style="text-align: justify;">{{جعبه زندگینامه		<p style="text-align: justify;">آلفِروف، ژورِس (۱۹۳۰-2019م)(Alferov, Zhores)</p> <p style="text-align: justify;">{{جعبه زندگینامه
	\|عنوان =ژورس آلفروف		\|عنوان =ژورس آلفروف
خط ۱۷:		خط ۱۸:
	\|مکتب =		\|مکتب =
	\|سمت =مدیر موسسه فیزیک و مهندسی ای اف آیوف در سن پترزبورگ (۱۹۸۷م)، ناینایب‌رئیس آکادمی علوم روسیه (۱۹۸۹م)		\|سمت =مدیر موسسه فیزیک و مهندسی ای اف آیوف در سن پترزبورگ (۱۹۸۷م)، ناینایب‌رئیس آکادمی علوم روسیه (۱۹۸۹م)
	\|جوایز و افتخارات =نوبل فیزیک ~~مشترکا~~ با هربرت کرومر و جک کیلبی (~~۲۰۰۰~~)		\|جوایز و افتخارات =نوبل فیزیک مشترکاً با هربرت کرومر و جک کیلبی (۲۰۰۰م)
	\|آثار =		\|آثار =
	\|خویشاوندان سرشناس =		\|خویشاوندان سرشناس =

Mohammadi2 در ‏۳۰ ژانویهٔ ۲۰۲۴، ساعت ۱۹:۱۱

2024-01-30T19:11:01Z

→ نسخهٔ قدیمی‌تر		نسخهٔ ‏۳۰ ژانویهٔ ۲۰۲۴، ساعت ۱۹:۱۱
خط ۱:		خط ۱:
	<p style="text-align: justify;">آلفِروف، ژورِس (۱۹۳۰)(Alferov, Zhores)</p> <p style="text-align: justify;">{{جعبه زندگینامه		<p style="text-align: justify;">آلفِروف، ژورِس (۱۹۳۰-2019م)(Alferov, Zhores)</p> <p style="text-align: justify;">{{جعبه زندگینامه
	\|عنوان =ژورس آلفروف		\|عنوان =ژورس آلفروف
	\|نام =Zhores Alferov		\|نام =Zhores Alferov
خط ۷:		خط ۷:
	\|لقب=		\|لقب=
	\|زادروز=ویتسیبسک، بلاروس ۱۹۳۰م		\|زادروز=ویتسیبسک، بلاروس ۱۹۳۰م
	\|تاریخ مرگ=		\|تاریخ مرگ=2019م
	\|دوره زندگی=		\|دوره زندگی=
	\|ملیت=~~روسیه ای~~		\|ملیت=روسیه‌ای
	\|محل زندگی=		\|محل زندگی=
	\|تحصیلات و محل تحصیل=		\|تحصیلات و محل تحصیل=
	\| شغل و تخصص اصلی =~~فیزیک دان~~		\| شغل و تخصص اصلی =فیزیک‌دان
	\|شغل و تخصص های دیگر=		\|شغل و تخصص های دیگر=
	\|سبک =		\|سبک =
	\|مکتب =		\|مکتب =
	\|سمت =مدیر موسسه فیزیک و مهندسی ای اف آیوف در سن پترزبورگ (~~۱۹۸۷~~)، ~~نایب رییس~~ آکادمی علوم روسیه (~~۱۹۸۹~~)		\|سمت =مدیر موسسه فیزیک و مهندسی ای اف آیوف در سن پترزبورگ (۱۹۸۷م)، ناینایب‌رئیس آکادمی علوم روسیه (۱۹۸۹م)
	\|جوایز و افتخارات =نوبل فیزیک مشترکا با هربرت کرومر و جک کیلبی (۲۰۰۰)		\|جوایز و افتخارات =نوبل فیزیک مشترکا با هربرت کرومر و جک کیلبی (۲۰۰۰)
	\|آثار =		\|آثار =
خط ۲۲:		خط ۲۲:
	\|گروه مقاله =فیزیک و مکانیک		\|گروه مقاله =فیزیک و مکانیک
	\|دوره =		\|دوره =
	\|فعالیت های مهم =ساخت اولین ~~نیم رسانای~~ ناهمگن با ~~لایه های~~ مجزا (~~۱۹۶۹~~)		\|فعالیت های مهم =ساخت اولین نیم‌رسانای ناهمگن با لایه‌های مجزا (۱۹۶۹م)
	\|رشته =		\|رشته =
	\|پست تخصصی =		\|پست تخصصی =
	\|باشگاه =		\|باشگاه =
	}}فیزیک‌دان روس. با فیزیک‌دان آلمانی، هربرت کرومر<ref>Herbert Kroemer</ref>، و مهندس برق امریکایی، جک کیلبی<ref>Jack S. Kilby</ref>، به‌خاطر تحقیق دربارۀ فناوری اطلاعات و ارتباطات، در سال ~~۲۰۰۰~~ جایزۀ نوبل فیزیک گرفت. آلفروف در توسعۀ ساختارهای ناهمگن<ref>heterostructures</ref>~~ ~~نیم‌رسانا<ref>semiconductor</ref>~~ ~~پیش‌گام بود که در حوزۀ الکترونیکِ سرعت زیاد<ref>high-speed electronics</ref>~~ ~~و اُپتوالکترونیک<ref>optoelectronics</ref>~~ ~~به‌کار می‌روند. اُپتوالکترونیک شاخه‌ای از الکترونیک برای ساخت وسایلی است که هم نسبت به الکترون و هم نسبت به فوتون حساس‌اند. در ~~۱۹۶۳،~~ مستقلاً اصلی را مطرح کرد که ساختار دستگاه لیزری<ref>laser</ref>~~ ~~را شرح می‌داد و با استفاده از قطعات نیم‌رسانای ناهمگن ساخته می‌شد. نیم‌رساناهایی که ساختار ناهمگن دارند، مثل آرسنید گالیوم<ref>gallium arsenide</ref>، از لایه‌های نازکی تشکیل می‌شوند که یک در میان نیم‌رسانایند. در ~~۱۹۶۹،~~ اولین نیم‌رسانای ناهمگنی را ساخت که لایه‌های آن مجزا بود. به کمک این ساختار، لیزرهای نیم‌رسانای قابل ‌استفاده در دمای اتاق ساخته شد. لیزرهای نیم‌رسانا معمولاً در دستگاه‌های پخش لوح فشرده و بارکُدخوان<ref>barcode reader</ref>ها، و ارسال اطلاعات از طریق کابل تارِ نوری<ref>fibre optic cable</ref>~~ ~~به‌کار می‌روند. آلفروف در ویتسیِبسک<ref>Vitsyebsk</ref>، واقع در ~~بلاروس،~~ زاده شد. در ~~۱۹۵۳،~~ به مؤسسۀ فیزیک و مهندسی اِی اف آیوف<ref>A. F. Ioffe Physico-Technical Institute</ref>~~ ~~در سن‌پترزبورگ<ref>St Petersburg</ref>~~ ~~روسیه پیوست و در ~~۱۹۸۷،~~ مدیریت آن‌جا را برعهده گرفت. در ~~۱۹۸۹،~~ نایب‌رئیس آکادمی علوم روسیه<ref>Russian Academy of Sciences</ref> شد.<br/>  </p>		}}فیزیک‌دان روس. با فیزیک‌دان آلمانی، [[کرومر، هربرت (۱۹۲۸)\|هربرت کرومر]]<ref>Herbert Kroemer</ref>، و مهندس برق امریکایی، جک کیلبی<ref>Jack S. Kilby</ref>، به‌خاطر تحقیق دربارۀ فناوری اطلاعات و ارتباطات، در سال ۲۰۰۰م [[نوبل، جایزه\|جایزۀ نوبل]] فیزیک گرفت. آلفروف در توسعۀ ساختارهای ناهمگن<ref>heterostructures</ref> [[نیم رسانا\|نیم‌رسانا]]<ref>semiconductor</ref> پیش‌گام بود که در حوزۀ الکترونیکِ سرعت زیاد<ref>high-speed electronics</ref> و اُپتوالکترونیک<ref>optoelectronics</ref> به‌کار می‌روند. اُپتوالکترونیک شاخه‌ای از الکترونیک برای ساخت وسایلی است که هم نسبت به [[الکترون]] و هم نسبت به [[فوتون]] حساس‌اند. در ۱۹۶۳م، مستقلاً اصلی را مطرح کرد که ساختار دستگاه لیزری<ref>laser</ref> را شرح می‌داد و با استفاده از قطعات نیم‌رسانای ناهمگن ساخته می‌شد. نیم‌رساناهایی که ساختار ناهمگن دارند، مثل [[آرسنید گالیوم]]<ref>gallium arsenide</ref>، از لایه‌های نازکی تشکیل می‌شوند که یک در میان نیم‌رسانایند. در ۱۹۶۹م، اولین نیم‌رسانای ناهمگنی را ساخت که لایه‌های آن مجزا بود. به کمک این ساختار، لیزرهای نیم‌رسانای قابل ‌استفاده در دمای اتاق ساخته شد. لیزرهای نیم‌رسانا معمولاً در دستگاه‌های پخش لوح فشرده و بارکُدخوان<ref>barcode reader</ref>ها، و ارسال اطلاعات از طریق کابل تارِ نوری<ref>fibre optic cable</ref> به‌کار می‌روند. آلفروف در [[ویتسیبسک\|ویتسیِبسک]]<ref>Vitsyebsk</ref>، واقع در [[بلاروس]]، زاده شد. در ۱۹۵۳م، به مؤسسۀ فیزیک و مهندسی اِی اف آیوف<ref>A. F. Ioffe Physico-Technical Institute</ref> در [[سن پترزبورگ\|سن‌پترزبورگ]]<ref>St Petersburg</ref> [[روسیه]] پیوست و در ۱۹۸۷م، مدیریت آن‌جا را برعهده گرفت. در ۱۹۸۹م، نایب‌رئیس آکادمی علوم روسیه<ref>Russian Academy of Sciences</ref> شد.<br/>  </p>
	----		----

	[[Category:فیزیک و مکانیک]] [[Category:(فیزیک و مکانیک)اشخاص و آثار]]		[[Category:فیزیک و مکانیک]] [[Category:(فیزیک و مکانیک)اشخاص و آثار]]

Amir در ‏۲۴ ژوئیهٔ ۲۰۱۹، ساعت ۰۵:۲۳

2019-07-24T05:23:50Z

صفحهٔ تازه

آلفِروف، ژورِس (۱۹۳۰)(Alferov, Zhores) {{جعبه زندگینامه
|عنوان =ژورس آلفروف
|نام =Zhores Alferov
|نام دیگر=
|نام اصلی=
|نام مستعار=
|لقب=
|زادروز=ویتسیبسک، بلاروس ۱۹۳۰م
|تاریخ مرگ=
|دوره زندگی=
|ملیت=روسیه ای
|محل زندگی=
|تحصیلات و محل تحصیل=
| شغل و تخصص اصلی =فیزیک دان
|شغل و تخصص های دیگر=
|سبک =
|مکتب =
|سمت =مدیر موسسه فیزیک و مهندسی ای اف آیوف در سن پترزبورگ (۱۹۸۷)، نایب رییس آکادمی علوم روسیه (۱۹۸۹)
|جوایز و افتخارات =نوبل فیزیک مشترکا با هربرت کرومر و جک کیلبی (۲۰۰۰)
|آثار =
|خویشاوندان سرشناس =
|گروه مقاله =فیزیک و مکانیک
|دوره =
|فعالیت های مهم =ساخت اولین نیم رسانای ناهمگن با لایه های مجزا (۱۹۶۹)
|رشته =
|پست تخصصی =
|باشگاه =
}}فیزیک‌دان روس. با فیزیک‌دان آلمانی، هربرت کرومر<ref>Herbert Kroemer</ref>، و مهندس برق امریکایی، جک کیلبی<ref>Jack S. Kilby</ref>، به‌خاطر تحقیق دربارۀ فناوری اطلاعات و ارتباطات، در سال ۲۰۰۰ جایزۀ نوبل فیزیک گرفت. آلفروف در توسعۀ ساختارهای ناهمگن<ref>heterostructures</ref> نیم‌رسانا<ref>semiconductor</ref> پیش‌گام بود که در حوزۀ الکترونیکِ سرعت زیاد<ref>high-speed electronics</ref> و اُپتوالکترونیک<ref>optoelectronics</ref> به‌کار می‌روند. اُپتوالکترونیک شاخه‌ای از الکترونیک برای ساخت وسایلی است که هم نسبت به الکترون و هم نسبت به فوتون حساس‌اند. در ۱۹۶۳، مستقلاً اصلی را مطرح کرد که ساختار دستگاه لیزری<ref>laser</ref> را شرح می‌داد و با استفاده از قطعات نیم‌رسانای ناهمگن ساخته می‌شد. نیم‌رساناهایی که ساختار ناهمگن دارند، مثل آرسنید گالیوم<ref>gallium arsenide</ref>، از لایه‌های نازکی تشکیل می‌شوند که یک در میان نیم‌رسانایند. در ۱۹۶۹، اولین نیم‌رسانای ناهمگنی را ساخت که لایه‌های آن مجزا بود. به کمک این ساختار، لیزرهای نیم‌رسانای قابل ‌استفاده در دمای اتاق ساخته شد. لیزرهای نیم‌رسانا معمولاً در دستگاه‌های پخش لوح فشرده و بارکُدخوان<ref>barcode reader</ref>ها، و ارسال اطلاعات از طریق کابل تارِ نوری<ref>fibre optic cable</ref> به‌کار می‌روند. آلفروف در ویتسیِبسک<ref>Vitsyebsk</ref>، واقع در بلاروس، زاده شد. در ۱۹۵۳، به مؤسسۀ فیزیک و مهندسی اِی اف آیوف<ref>A. F. Ioffe Physico-Technical Institute</ref> در سن‌پترزبورگ<ref>St Petersburg</ref> روسیه پیوست و در ۱۹۸۷، مدیریت آن‌جا را برعهده گرفت. در ۱۹۸۹، نایب‌رئیس آکادمی علوم روسیه<ref>Russian Academy of Sciences</ref> شد.  
----

[[Category:فیزیک و مکانیک]] [[Category:(فیزیک و مکانیک)اشخاص و آثار]]